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电子元器件详细资料 » IC[18399] » FQD19N10TF
型号:FQD19N10TF类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C15.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 7.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds780pF @ 25V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

供应商

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现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
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